Samsung vừa giới thiệu bộ nhớ 3D dành cho AI tại sự kiện FMS 2026

Tại sự kiện Future of Memory and Storage (FMS) 2026 diễn ra ở Santa Clara, California, Samsung đã giới thiệu loạt công nghệ bộ nhớ và lưu trữ mới dành cho hệ thống trí tuệ nhân tạo (AI). Đáng chú ý, hãng lần đầu trình diễn các mô hình khái niệm zHBM và zNAND-O, đồng thời công bố V10 BV-NAND với hơn 400 lớp, mở ra hướng phát triển mới cho bộ nhớ 3D và hạ tầng AI hiệu năng cao.

Bên cạnh các công nghệ mới, Samsung cũng giới thiệu khoảng 30 giải pháp bộ nhớ và lưu trữ tại FMS 2026 nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng lớn của AI và điện toán hiệu năng cao (HPC).

Tổng hợp các công nghệ bộ nhớ và lưu trữ dành cho AI

zHBM - Kiến trúc bộ nhớ 3D dành cho AI

zHBM là một trong những công nghệ nổi bật được Samsung giới thiệu tại FMS 2026, hướng đến các hệ thống điện toán AI thế hệ mới. Khác với kiến trúc truyền thống đặt HBM cạnh bộ xử lý, zHBM được thiết kế để xếp chồng HBM trực tiếp phía trên bộ tăng tốc AI, qua đó rút ngắn khoảng cách truyền dữ liệu giữa bộ nhớ và bộ xử lý.

Thiết kế này giúp zHBM hướng đến băng thông cao hơn, giảm năng lượng tiêu thụ cho quá trình di chuyển dữ liệu và đáp ứng nhu cầu xử lý nhanh trong các tác vụ AI quy mô lớn. Theo Samsung, hệ thống giao tiếp thế hệ mới sử dụng zHBM có thể đạt hiệu năng khoảng 8 lần HBM5. Khi kết hợp với công nghệ wafer bonding thế hệ mới, zHBM có thể đạt mật độ bộ nhớ hơn 10 lần HBM5, cải thiện hiệu quả năng lượng khoảng 3 lần và giảm hơn một nửa điện trở nhiệt.

Samsung cũng thiết kế zHBM với khả năng tùy biến theo nhu cầu khách hàng. Các IP tùy chỉnh có thể được tích hợp vào lớp trung gian giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI nhằm mở rộng dung lượng bộ nhớ cũng như cải thiện hiệu suất xử lý.

zNAND-O và V10 BV-NAND - NAND thế hệ mới

Bên cạnh zHBM, Samsung giới thiệu hai công nghệ NAND mới là zNAND-O và V10 BV-NAND, hướng đến những yêu cầu ngày càng cao về tốc độ, dung lượng và hiệu quả năng lượng trong hệ thống AI.

zNAND-O được xây dựng dựa trên công nghệ V-NAND và hiện đang được Samsung phát triển với các phiên bản 4 lớp và 8 lớp. Giải pháp này tập trung vào khả năng sử dụng không gian hiệu quả, tốc độ I/O được cải thiện và độ trễ thấp, qua đó phù hợp với các hệ thống Edge AI cần xử lý dữ liệu lớn theo thời gian thực.

Trong khi đó, V10 BV-NAND sử dụng kiến trúc Bonding V-NAND kết hợp công nghệ wafer bonding để xếp chồng các ô nhớ. Với hơn 400 lớp, V10 BV-NAND giúp tăng mật độ lưu trữ khoảng 58% so với thế hệ V9. Samsung cũng cải thiện tốc độ đọc, ghi và I/O, đồng thời nâng cao hiệu quả năng lượng để đáp ứng nhu cầu lưu trữ hiệu năng cao cho các hệ thống AI trong tương lai.

HBM4E và HBM5 - Bộ nhớ băng thông cao cho AI

Trong lộ trình bộ nhớ AI, Samsung cũng trình diễn HBM4E và HBM5, hai giải pháp hướng đến các hệ thống điện toán AI và HPC cần băng thông bộ nhớ lớn cùng khả năng xử lý dữ liệu nhanh.

Samsung cho biết hãng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM 1c và đế cơ sở 4 nm từ tháng 2/2026, sau đó bắt đầu cung cấp mẫu HBM4E cho khách hàng toàn cầu từ tháng 5/2026. Đây là một phần trong chiến lược mở rộng danh mục HBM dành cho các hệ thống AI thế hệ mới.

Bên cạnh HBM4E, HBM5 cũng được Samsung trưng bày tại FMS 2026 như một phần trong lộ trình phát triển bộ nhớ băng thông cao. Việc HBM5 xuất hiện cùng HBM4E, LPDDR5X-PIM và các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp cho thấy Samsung đang tiếp tục mở rộng danh mục bộ nhớ phục vụ hạ tầng AI và trung tâm dữ liệu.

LPDDR5X-PIM - Công nghệ xử lý dữ liệu ngay trong bộ nhớ

LPDDR5X-PIM là giải pháp bộ nhớ tích hợp công nghệ Processing-in-Memory (PIM), cho phép thực hiện một phần quá trình xử lý dữ liệu ngay bên trong bộ nhớ thay vì phải liên tục truyền dữ liệu đến bộ xử lý.

Cách tiếp cận này giúp giảm lượng dữ liệu phải di chuyển giữa bộ nhớ và bộ xử lý, qua đó cải thiện hiệu quả xử lý và mức tiêu thụ năng lượng. Samsung giới thiệu LPDDR5X-PIM là giải pháp LPDDR đầu tiên của ngành tích hợp công nghệ PIM, mở ra hướng ứng dụng mới cho các hệ thống cần xử lý dữ liệu hiệu quả.

Giải pháp lưu trữ doanh nghiệp và hạ tầng AI

Ở mảng lưu trữ doanh nghiệp, Samsung giới thiệu PM1763 và BM1773, được thiết kế để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về dung lượng và hiệu suất lưu trữ của các trung tâm dữ liệu AI. Những sản phẩm này nằm trong hệ sinh thái giải pháp lưu trữ mà Samsung đang phát triển nhằm phục vụ khối lượng dữ liệu lớn từ các ứng dụng AI.

PM1763

Không chỉ cung cấp từng sản phẩm riêng lẻ, Samsung còn giới thiệu chiến lược One-Stop Turnkey Solutions, kết hợp năng lực về bộ nhớ, foundry và công nghệ đóng gói bán dẫn tiên tiến. Theo hướng tiếp cận này, Samsung có thể hỗ trợ khách hàng từ khâu thiết kế sản phẩm đến sản xuất hàng loạt, qua đó rút ngắn thời gian phát triển và tối ưu hiệu năng, mức tiêu thụ năng lượng của các giải pháp bán dẫn AI.

Tạm kết

Việc ra mắt zHBM, zNAND-O và V10 BV-NAND tại FMS 2026 cho thấy Samsung đang tập trung mạnh vào những kiến trúc bộ nhớ có khả năng đáp ứng yêu cầu ngày càng cao của AI. Trong đó, zHBM hướng tới việc đưa bộ nhớ đến gần bộ xử lý hơn, zNAND-O tập trung vào AI biên và V10 BV-NAND cải thiện mật độ lưu trữ thông qua kiến trúc V-NAND mới.

Cùng với HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM và các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp, danh mục công nghệ được Samsung trình diễn tại FMS 2026 cho thấy bộ nhớ đang ngày càng đóng vai trò quan trọng trong việc nâng cao hiệu suất, khả năng mở rộng và hiệu quả năng lượng của hạ tầng AI thế hệ mới.

Những công nghệ bộ nhớ tiên tiến được Samsung phát triển cho AI cũng phần nào cho thấy thế mạnh của hãng trong việc tối ưu hiệu năng và trải nghiệm trên các thiết bị điện tử. Nếu đang tìm kiếm điện thoại Samsung chính hãng, bạn có thể tham khảo các mẫu Galaxy tại FPT Shop với nhiều phân khúc và cấu hình khác nhau.

Xem thêm:

Samsung vừa giới thiệu bộ nhớ 3D dành cho AI kèm các giải pháp lưu trữ thế hệ mới