Samsung sẽ sản xuất chip 3nm từ năm 2022

Theo đó, vào tuần trước, Samsung đã tổ chức diễn đàn Foundry Forum hàng năm tại Hoa Kỳ. Tại sự kiện này, Samsung đã công bố lộ trình để sản xuất chip quy trình 7 nm Low Power Plus, 5 nm Low Power Early và 3 nm Gate-All-Around Early / Plus.

Với vi xử lý 7nm, đây sẽ là lần đầu tiên Samsung sử dụng giải pháp in mạch bằng tia siêu cực tím EUV, chip này sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối năm nay, và sản xuất hàng loạt từ nửa đầu năm 2019.

Thời gian trên cũng phù hợp với đối thủ, được biết vào đầu năm sau TSMC cũng bắt đầu sản xuất hàng loạt vi xử lý 7 nm sử dụng giải pháp in mạch EUV, và sau đó là nghiên cứu sản xuất chip 5 nm.

Vi xử lý LPE 5 nm của Samsung sẽ có mức tiêu thụ điện năng cực thấp, thế hệ tiếp theo sẽ được sản xuất trên quy trình 4 nm Low Power Early, nó có hiệu năng được cải tiến cùng kích thước nhỏ hơn. Cả 2 sẽ được sản xuất lần lượt vào năm 2019 và 2020.

Đầu năm nay, cũng đã có các báo cáo cho biết Samsung sẽ sản xuất chip Snapdragon 855 trên quy trình 7 nm, nó được cho là để tích hợp trên Galaxy S10 vào năm tới.

Với vi xử lý 3 nm, Samsung sẽ sử dụng kiến ​​trúc GAA (Gate-All-Around) MBCFET (multi-bridge-channel FET). Dự kiến vi xử lý này sẽ bắt đầu sản xuất từ năm 2022. Tất nhiên kích thước của chip mới cũng nhỏ hơn, mạnh mẽ hơn và tiết kiệm điện năng hơn.

Nguồn Phonearena