Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 16Gb LPDDR5 DRAM tại nhà máy Pyeongtaek Line 2

Được biết, những con chip này đang được chế tạo bằng công nghệ EUV 10nm - lớp thế hệ thứ ba (1z) của công ty.

Gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc hiện đang là công ty dẫn đầu thị trường DRAM toàn cầu. Samsung tuyên bố rằng chip LPDDR5 DRAM mới của họ có dung lượng và hiệu suất bộ nhớ di động cao nhất. Chip DRAM LPDDR5 16Gb của Samsung nhanh hơn 16% so với chip DRAM LPDDR5 12Gb, nhờ tốc độ truyền dữ liệu 6,400Mb/giây. Các gói 16GB được thực hiện bằng chip LPDDR5 16Gb có thể truyền 51.2GB dữ liệu trong một giây.

Nhờ quy trình 1z, gói LPDDR5 mỏng hơn 30% so với người tiền nhiệm. Quá trình 1y yêu cầu kết hợp mười hai chip (tám chip 12Gb và bốn chip 8Gb) để tạo thành một gói RAM 16GB. Tuy nhiên, công suất tương tự có thể đạt được với quy trình 1z chỉ sử dụng tám chip (tám chip 16Gb). Điều này có nghĩa là việc sản xuất điện thoại thông minh có 5G, màn hình có thể gập lại và đa camera trở nên dễ dàng hơn.

Samsung cũng đang có kế hoạch mang chip LPDDR5 DRAM cho các ứng dụng ô tô, cung cấp dải nhiệt độ mở rộng và tiêu chuẩn độ tin cậy cho các môi trường khắc nghiệt. Cơ sở sản xuất chip EUV LPDDR5 DRAM 10nm trải dài hơn 128,900 mét vuông. Đây cũng là dây chuyền sản xuất chất bán dẫn lớn nhất của Samsung cho đến nay.

Jung-Bae Lee, Phó Chủ tịch Điều hành Sản phẩm & Công nghệ DRAM tại Samsung Electronics cho biết: “LPDDR5 16Gb dựa trên 1z nâng ngành công nghiệp lên một ngưỡng mới, vượt qua rào cản phát triển lớn trong việc mở rộng DRAM tại các nút nâng cao. Chúng tôi sẽ tiếp tục mở rộng dòng sản phẩm DRAM cao cấp của mình và đáp ứng nhu cầu của khách hàng, vì chúng tôi dẫn đầu trong việc phát triển thị trường bộ nhớ nói chung.”