Rò rỉ hiệu suất ấn tượng của dòng Samsung Galaxy S23

Theo các rò rỉ xuất hiện thời gian qua, toàn bộ dòng Galaxy S23 sẽ sử dụng phiên bản ép xung của chip Snapdragon 8 Gen 2. Hôm nay, nguồn tin đến từ trang Sammobile vừa chia sẻ cho chúng ta những thông tin về hiệu suất các điện thoại này.

Cụ thể, leaker nổi tiếng Ahmed Qwaider vừa tiết lộ rằng, bộ ba Galaxy S23, Galaxy S23 Plus và Galaxy S23 Ultra được trang bị Snapdragon 8 Gen 2 sẽ có hiệu suất tăng đáng kể so với các thiết bị tiền nhiệm. Các điện thoại sắp ra mắt sẽ có hiệu suất CPU tốt hơn 36%, GPU nhanh hơn 48% và NPU (Neural Processing Unit được sử dụng để tăng tốc AI và ML) nhanh hơn 60%. Các thiết bị này cũng được cho là sẽ có hệ thống tản nhiệt chipset tốt hơn để máy không bị quá nhiệt khi xử lý các tác vụ nặng trong thời gian dài.

Các báo cáo trước đây cho biết rằng, Samsung có thể đã đạt được thỏa thuận với Qualcomm về phiên bản được ép xung của Snapdragon 8 Gen 2. Theo số liệu điểm chuẩn, SoC sử dụng trong loạt Galaxy S mới có tốc độ xung nhịp CPU nhanh hơn 170 MHz (đối với lõi CPU Prime). GPU của nó có thể đạt xung nhịp 719MHz. Galaxy S23 series cũng có RAM (LPDDR5X) và bộ nhớ trong (UFS 4.0) nhanh hơn, và điều này sẽ giúp hiệu suất tăng đáng kể.

Ngoài cải thiện về hiệu suất, dòng Galaxy S23 dự kiến ​​còn có màn hình sáng hơn (1,750 nits), camera selfie tốt hơn (AF 12MP Dual-Pixel), quay video 8K ở 30 khung hình/giây và kết nối vệ tinh. Cuối cùng, bộ đôi Galaxy S23 và Galaxy S23 Plus sẽ có pin lớn hơn một chút, lần lượt là 3,900mAh và 4,700mAh.

Xem thêm: Mới nhất về Samsung Galaxy S23 Ultra: Giá bao nhiêu, khi nào ra mắt

Theo: Sammobiles