Theo Engadget, Samsung đã tạo nên cuộc đột phá mới trong việc sản xuất chip cho điện thoại thông minh sử dụng tiết kiệm pin đó chính là quy trình 10 nm thế hệ thứ hai trên chip nhớ mới của Samsung vừa được công bố chính thức.
Đó là mô-đun RAM thế hệ mới cho các thiết bị di động dựa trên quy trình 1y-nm được gọi là LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) DRAM.
Samsung cho biết chip nhớ thu nhỏ vừa được đưa vào sản xuất này sẽ giúp các thiết bị di động hàng đầu sắp tới (như Galaxy S10) bù đắp các vấn đề về pin, và có thể tiết kiệm đến 10% lượng điện năng tiêu thụ. Ngoài ra, Samsung đã tạo thành công gói DRAM di động 8GB LPDDR4X với độ dày được lược giản bớt 20% so với thể hệ trước.
Ngay sau sự thành công chip 8GB DDR4 RAM tiết kiệm điện năng cho PC vào năm ngoái, thì nay, họ lại có kế hoạch tiếp tục mở rộng dòng sản phẩm DRAM 1y-nm bằng cách cung cấp nhiều sản phẩm có dung lượng lớn, bao gồm các gói LPDDR4X 4 - 6 và 8GB dành cho tất cả các thiết bị di động.
Nguồn: engadget